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Spontaneous Growth Of Nanostructures On Non-single Crystalline Surfaces

机译:非单晶表面上纳米结构的自发生长

摘要

A method of forming nanostructures using catalyst-free epitaxial growth includes depositing a first layer of a non-single crystalline material on a support structure; heating the support structure and the first layer such that a combined layer is formed; and growing a nanostructure on the combined layer. A hetero-crystalline includes a support structure; a first layer of non-single crystalline material deposited on the support structure and combined with the support structure or a second layer to form a combined layer; and a nanostructure of a single crystalline material grown on the combined layer.
机译:一种使用无催化剂的外延生长形成纳米结构的方法,包括在载体结构上沉积第一层非单晶材料。加热支撑结构和第一层,从而形成结合层;在复合层上生长纳米结构。异质晶体包括支撑结构;沉积在支撑结构上并与支撑结构结合的第一层非单晶材料或第二层以形成结合层;在复合层上生长的单晶材料的纳米结构。

著录项

  • 公开/公告号US2009224243A1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NOBUHIKO KOBAYASHI;SHIH-YUAN WANG;

    申请/专利号US20080243139

  • 发明设计人 NOBUHIKO KOBAYASHI;SHIH-YUAN WANG;

    申请日2008-10-01

  • 分类号H01L31/036;H01L21/20;H01L21/44;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:34:44

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