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一种低温、自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法

摘要

本发明涉及一种低温、自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法。概括地讲,本发明是利用烷烃气体(优选甲烷)、氩气(流量比为50:5,单位为标准状态毫升每分)的等离子体化学气相沉积过程,在单晶Si(100)衬底上沉积出非晶碳和纳米石墨的杂合物,是一种在无金属催化剂、低能耗的条件下自组织生长非晶碳杂合单晶纳米石墨的制备方法。该发明所制备的产物是具有许多小尺寸“条形裂口”,呈现出片状形貌,且表面较为粗糙的连续薄膜,存在单层或少层纳米石墨烯与非晶碳的混合结构。本发明的步骤简单,易于操作,便于工业化生产,制备出来的杂合纳米材料在工业、光学、电子、交通、能源、医学和军事等领域具有广阔的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN104099661B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林大学;

    申请/专利号CN201410331290.8

  • 发明设计人 王欣;刘吉悦;王赞;郑伟涛;高丽;

    申请日2014-07-12

  • 分类号

  • 代理机构长春吉大专利代理有限责任公司;

  • 代理人朱世林

  • 地址 130012 吉林省长春市前进大街2699号

  • 入库时间 2022-08-23 09:45:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    授权

    授权

  • 2014-11-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/00 申请日:20140712

    实质审查的生效

  • 2014-10-15

    公开

    公开

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