法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-17
授权
授权
2014-11-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/00 申请日:20140712
实质审查的生效
2014-10-15
公开
公开
机译: 一种制造单晶区域的方法-通过非晶层的转化外延生长的低温
机译: 在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译: 具有在非晶和/或非单晶表面上的成核位点上生长的单晶膜的半导体器件