机译:制作该方法所用的半导体装置和半导体装置的方法,该方法所制得的薄膜晶体管基体和薄膜晶体管基体的制造方法,以及制造该方法所用的显示装置和显示装置的方法
公开/公告号US2008283842A1
专利类型
公开/公告日2008-11-20
原文格式PDF
申请/专利权人 NAOKI HAYASHI;TOSHIAKI ARAI;
申请/专利号US20080121398
申请日2008-05-15
分类号H01L29/04;H01L21/336;
国家 US
入库时间 2022-08-21 19:33:38