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Ion implanter with function of compensating wafer cut angle and ion implantation method using the same

机译:具有补偿晶片切割角功能的离子注入机及使用该离子注入机的离子注入方法

摘要

Provided are an ion implanter for compensating for a wafer cut angle and an ion implantation method using the same. The ion implanter may include an orienter for rotating a wafer mounted on an alignment stage thereof to align a notch of the wafer and a wafer stage for mounting thereon the wafer whose notch has been aligned. The ion implanter may further include an ion implantation angle adjustment unit for adjusting an angle of the wafer stage, a cut angle measurement unit for measuring the wafer cut angle while the wafer is mounted and rotated on the alignment stage, and a controller for controlling the ion implantation angle adjustment unit to compensate for the measured wafer cut angle.
机译:提供一种用于补偿晶片切割角的离子注入机以及使用该离子注入机的离子注入方法。离子注入机可以包括用于旋转安装在其对准台上以对准晶片的凹口的晶片的定向器,以及用于将其凹口已经对准的晶片安装在其上的晶片台。离子注入机还可以包括:离子注入角调节单元,用于调节晶片台的角度;切割角测量单元,用于在将晶片安装并旋转在对准台上时测量晶片的切割角;以及控制器,用于控制晶片离子注入角度调节单元,以补偿测得的晶圆切割角。

著录项

  • 公开/公告号US7612351B2

    专利类型

  • 公开/公告日2009-11-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HAG DONG KIM;

    申请/专利号US20070925397

  • 发明设计人 HAG DONG KIM;

    申请日2007-10-26

  • 分类号H01J37/317;H01J37/244;G21K5/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 19:30:57

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