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METHOD FOR CONTROLLING PLASMA DENSITY DISTRIBUTION IN PLASMA CHAMBER

机译:等离子体室中等离子体密度分布的控制方法

摘要

A method for controlling plasma density distribution in a plasma chamber in order to control a critical dimension (CD) and obtain uniformity of an etching rate. The plasma density distribution control method is used to fabricate a semiconductor device in the plasma chamber and comprises the steps of establishing an intended plasma density distribution in the plasma chamber and controlling a voltage distribution in the plasma chamber with relation to the established plasma density distribution.
机译:一种用于控制等离子体室中的等离子体密度分布以便控制临界尺寸(CD)并获得蚀刻速率均匀性的方法。等离子体密度分布控制方法用于在等离子体室中制造半导体器件,并且包括以下步骤:在等离子体室中建立预期的等离子体密度分布;以及相对于所建立的等离子体密度分布来控制等离子体室中的电压分布。

著录项

  • 公开/公告号WO2009084901A2

    专利类型

  • 公开/公告日2009-07-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NEST CORP.;KIM YOUNG;

    申请/专利号WO2008KR07780

  • 发明设计人 KIM YOUNG;

    申请日2008-12-30

  • 分类号H01L21/3065;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 19:17:55

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