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Continuous sloped phase edge architecture fabrication technique using electron or optical beam blur for single phase shift mask ret

机译:使用电子或光束模糊技术进行单相移掩模ret的连续倾斜相边缘架构制造技术

摘要

A phase shift mask may include boundaries between phase shift regions with continuous sloped phase edges. The continuous sloped phase edges may be produced by introducing a predetermined degree of defocus into a beam used during production of the mask to image the pattern on the mask. Such a phase shift mask may be “trimless”, i.e., not require a corresponding binary “trim” mask for a second exposure to remove phase conflicts after exposure with the phase shift mask.
机译:相移掩模可包括具有连续倾斜的相边缘的相移区域之间的边界。可以通过将预定程度的散焦引入到在掩模生产期间使用的光束中以将图案成像在掩模上来产生连续的倾斜相位边缘。这样的相移掩模可以是“无装饰的”,即,在用相移掩模曝光之后,不需要用于第二次曝光的相应的二进制“修整”掩模来去除相冲突。

著录项

  • 公开/公告号US7695872B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-04-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MATT F. VERNON;WEN-HAO CHENG;

    申请/专利号US20070894795

  • 发明设计人 MATT F. VERNON;WEN-HAO CHENG;

    申请日2007-08-20

  • 分类号G03F1/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:50:51

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