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一种半导体中电子自旋有效寿命的连续单光束测试方法

摘要

一种半导体中电子自旋有效寿命的连续单光束测试方法,使用连续单激光束、偏振片、1/2和1/4波片、偏振分束棱镜、衰减片、平衡光探测器和可变磁场,组成附图所示实验测量光路。连续单激光束既激发半导体中电子自旋极化,又测试自旋极化感应的法拉第效应和圆二色吸收效应。实验装置简单,造价低廉。实验上测试法拉第转角或圆二色吸收随磁场强度的变化曲线,并用发展的理论模型拟合此变化曲线,就能获得电子自旋的有效寿命。

著录项

  • 公开/公告号CN102288584B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-04-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中山大学;

    申请/专利号CN201110109338.7

  • 发明设计人 赖天树;黄晓婷;李佳明;

    申请日2011-04-28

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 510275 广东省广州市新港西路135号

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-04-10

    授权

    授权

  • 2012-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/63 申请日:20110428

    实质审查的生效

  • 2011-12-21

    公开

    公开

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