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Dual MOSFET package

机译:双MOSFET封装

摘要

A semiconductor device package comprises a first semiconductor die having a first source region, a first gate region, and a first drain region attached on a first leadframe, a second semiconductor die having a second source region, a second gate region, and a second drain region attached on a second leadframe, and several pins electrically connected to the leadframes and source and gate regions. The second leadframe is electrically connected to the first source region. The pins connected to the first leadframe and second source region are on a side of the package, and the pins connected to the first gate region, second leadframe, and second gate region are on another side of the package.
机译:半导体器件封装包括:第一半导体管芯,其具有附接在第一引线框架上的第一源极区,第一栅极区和第一漏极区;第二半导体管芯,其具有第二源极区,第二栅极区和第二漏极。区域附接到第二引线框架上,几个引脚电连接到引线框架以及源极和栅极区域。第二引线框电连接到第一源极区。连接到第一引线框和第二源极区的引脚在封装的一侧,连接到第一栅极区,第二引线框和第二栅极区的引脚在封装的另一侧。

著录项

  • 公开/公告号US7786604B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LIANG-PIN TAI;

    申请/专利号US20070797779

  • 发明设计人 LIANG-PIN TAI;

    申请日2007-05-08

  • 分类号H01L23/34;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:49:32

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