双芯片功率MOSFET封装结构

摘要

本实用新型公开一种双芯片功率MOSFET封装结构，其源极管脚、漏极管脚和栅极管脚从环氧封装体内向外延伸出；MOSFET芯片安装于陶瓷导热本体上，此源极区、漏极区和栅极区分别与第一导电条、导电块一端和第二导电条电连接；源极管脚与第一导电条电连接，所述漏极管脚与导电块另一端电连接，所述栅极管脚与第二导电条电连接；所述陶瓷导热本体具有一从环氧封装体端面延伸出的散热板，所述快恢复二极管的正极和负极均通过导电金线连接到第一导电条、导电块；此陶瓷导热本体的侧表面平行地开有至少2个导槽。本实用新型有利于进一步提高器件的功率，也便于热量扩散，防止水汽进入器件内部。