机译:用于根据非易失性存储器设备以及包括该存储器的非易失性存储器设备的数据读取状态下的存储器单元和环境温度的程序程度来改变数据读取电压的电压产生电路
公开/公告号KR20090123506A
专利类型
公开/公告日2009-12-02
原文格式PDF
申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;
申请/专利号KR20080049628
发明设计人 LEE SEOK JOO;
申请日2008-05-28
分类号G11C16/30;G11C16/34;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 18:33:58