要解决的问题:提供一种方法和结构,以使金属间化合物(IMC)在铜柱凸块上具有良好的附着力。
解决方案:该方法包括:沉积铜以形成铜柱层108;在铜柱层的顶部上沉积扩散阻挡层110;以及在扩散阻挡层的顶部上沉积铜覆盖层112。金属间化合物(IMC)116形成在扩散阻挡层,铜盖层和形成在铜盖层的顶部上的焊料层之间。 IMC在铜柱结构上具有良好的粘附性,IMC的厚度可由铜盖层的厚度控制,并且扩散阻挡层限制了铜从铜柱层向焊料层的扩散。该方法可以进一步包括在沉积铜盖层之前在扩散阻挡层的顶部上沉积用于润湿性的薄层。
版权:(C)2011,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2011029636A
专利类型
公开/公告日2011-02-10
原文格式PDF
申请/专利号JP20100151626
申请日2010-07-02
分类号H01L21/60;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 18:21:16