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Memory embedded logic LSI

机译:存储器嵌入式逻辑LSI

摘要

A plurality of memory macros are laid out in a semiconductor chip. Macro ID generation circuits generate macro IDs for identifying the memory macros, and have different layouts. These macro ID generation circuits are arranged outside the memory macros in the semiconductor chip, so that test control blocks in the memory macros can use the same layouts between all the memory macros to reduce the design load.
机译:多个存储宏被布置在半导体芯片中。宏ID生成电路生成用于识别存储器宏的宏ID,并且具有不同的布局。这些宏ID生成电路被布置在半导体芯片中的存储器宏的外部,使得存储器宏中的测试控制块可以在所有存储器宏之间使用相同的布局以减轻设计负担。

著录项

  • 公开/公告号JP4601737B2

    专利类型

  • 公开/公告日2010-12-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社東芝;

    申请/专利号JP19980307558

  • 申请日1998-10-28

  • 分类号G11C29/34;G11C29/56;G11C29/02;G01R31/28;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/10;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:17:23

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