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机译:BI-directional diode structure
公开/公告号US2011266591A1
专利类型
公开/公告日2011-11-03
原文格式PDF
申请/专利权人 MARK DUSKIN;SUEM PING LOO;ALI SALIH;
申请/专利号US201113177785
发明设计人 MARK DUSKIN;SUEM PING LOO;ALI SALIH;
申请日2011-07-07
分类号H01L29/66;
国家 US
入库时间 2022-08-21 18:16:09
机译: 具有测试结构的集成电路,包括双向保护二极管
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