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VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE, FABRICATION PROCESS THEREOF, AND NANOWIRE DEVICE USING VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE

机译：二氧化钒纳米线，其制造工艺以及使用二氧化钒纳米线的纳米装置

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摘要

A vanadium dioxide nanowire grown long and thin along a [110] direction is disclosed.
机译：公开了沿[110]方向长而细的二氧化钒纳米线。

著录项

  • 公开/公告号US2010314617A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 DAISUKE ITO;

    申请/专利号US20100788522

  • 发明设计人 DAISUKE ITO;

    申请日2010-05-27

  • 分类号H01L29/24;H01L21/36;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:15:09

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