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二氧化钒纳米线及其制备方法以及使用二氧化钒纳米线的纳米线装置

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摘要

本文公开了沿着[110]方向细长生长的二氧化钒纳米线。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-17

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G31/02 申请公布日:20101222 申请日:20100609

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-02-02

实质审查的生效 IPC(主分类):C01G31/02 申请日:20100609

实质审查的生效
2010-12-22

公开

公开

1. 二氧化钒纳米线及其制备方法以及使用二氧化钒纳米线的纳米线装置 [P] . 中国专利： CN101920995A . 2010-12-22
2. 一种Ni/Si纳米线阵列的制备方法以及基于这种纳米线阵列的微纳湿度传感器 [P] . 中国专利： CN101307452A . 2008-11-19
3. VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND NANOWIRE DEVICE USING VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE [P] . 日本专利： JP2011001202A . 2011-01-06

机译：二氧化钒纳米线，其制备方法以及使用二氧化钒纳米线的纳米装置
4. Vanadium dioxide nanowire and method for producing the same, and nanowire device using vanadium dioxide nanowire [P] . 日本专利： JP5299105B2 . 2013-09-25

机译：二氧化钒纳米线及其制造方法以及使用二氧化钒纳米线的纳米线装置
5. VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE, FABRICATION PROCESS THEREOF, AND NANOWIRE DEVICE USING VANADIUM DIOXIDE NANOWIRE [P] . 美国专利： US2010314617A1 . 2010-12-16

机译：二氧化钒纳米线，其制造工艺以及使用二氧化钒纳米线的纳米装置