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Power Semiconductor Component Including a Potential Probe

机译:功率半导体组件,包括电位探头

摘要

A power semiconductor component including a semiconductor body and two load terminals is provided. Provided furthermore is a potential probe positioned to tap an electric intermediate potential of the semiconductor body at a tap location of the semiconductor body for an electric voltage applied across the two load terminals, the intermediate potential being intermediate to the electric potentials of the two load terminals, but differing from each of the two electric potentials of the two load terminals.
机译:提供了包括半导体本体和两个负载端子的功率半导体部件。此外,提供一种电势探针,该电势探针定位成在半导体本体的分接位置处分接半导体本体的中间电势,以施加在两个负载端子上施加的电压,该中间电势在两个负载端子的电势的中间。 ,但不同于两个负载端子的两个电位。

著录项

  • 公开/公告号US2011025406A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PETER KANSCHAT;

    申请/专利号US20100844289

  • 发明设计人 PETER KANSCHAT;

    申请日2010-07-27

  • 分类号H03K3/01;H01L23/544;H01L23/538;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:12:14

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