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机译:具有诱发应力应变源和漏区的MOS设备的制造方法
公开/公告号SG172835A1
专利类型
公开/公告日2011-08-29
原文格式PDF
申请/专利权人 GLOBALFOUNDRIES INC;
申请/专利号SG20110048782
发明设计人 PAL ROHIT;YANG FRANK BIN;
申请日2010-01-25
分类号
国家 SG
入库时间 2022-08-21 18:04:03
机译: -制造具有明显应力增长源和漏区的MOS设备的方法
机译: 具有诱发应力应变源和漏区的MOS设备的制造方法