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机译:内部阻尼器产生光学早期形状的方法和产生的早期形状
公开/公告号AT518811T
专利类型
公开/公告日2011-08-15
原文格式PDF
申请/专利权人 DRAKA COMTEQ B.V.;
申请/专利号AT20070012076T
发明设计人 TERPSMA JELLE PHILIP;DECKERS ROB HUBERTUS MATHEUS;
申请日2007-06-20
分类号C03B37/018;
国家 AT
入库时间 2022-08-21 18:03:11
机译: 等离子体刻蚀系统,用于使用同一模具形成光学元件的模具的制造方法,用于形成光学元件的模具,用于形成光学元件的模具的制造方法,用于制造光学元件的方法以及光学元件
机译: 用于制造相同成分的化合物和方法,组成,用于形成光学组件的成分,用于形成光刻胶片的成分,抗蚀剂成分,用于形成抗蚀剂图案的方法,辐射敏感组合物,用于制造非晶膜的方法,用于形成膜的材料的材料形成光刻底层膜的方法,生产光刻底层膜的方法,形成抗蚀剂图案的方法,形成电路图案的方法以及纯化方法
机译: 化合物,其制造方法,组成,光学部件形成用组合物,光刻用膜形成用组合物,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,放射线敏感性组合物,非晶膜的制造方法,光刻用下层,成膜材料,形成用组合物用于光刻的底层膜,用于光刻的底层膜的制造方法,抗蚀剂图案形成方法,电路图案形成方法和纯化方法