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IMPROVING THE ADHESIVENESS OF FLUOROCARBON(CFX) FILM BY DOPING OF AMORPHOUS CARBON

机译:通过掺杂非晶碳提高氟碳(CFX)薄膜的粘性

摘要

A method of forming an amorphous carbon layer on an insulating layer includes the step of forming an amorphous carbon layer using a plasma reaction process. The amorphous carbon layer is formed in an atmosphere containing a plasma excitation gas, a CxHy series gas, a silicon containing gas, and an oxygen-containing gas.
机译:在绝缘层上形成非晶碳层的方法包括使用等离子体反应工艺形成非晶碳层的步骤。在包含等离子体激发气体,CxHy系列气体,含硅气体和含氧气体的气氛中形成非晶碳层。

著录项

  • 公开/公告号WO2010151337A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOKYO ELECTRON LIMITED;KIKUCHI YOSHIYUKI;

    申请/专利号WO2010US01833

  • 发明设计人 KIKUCHI YOSHIYUKI;

    申请日2010-06-25

  • 分类号H01L21;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 18:00:09

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