机译:形成半导体单元阵列区域的方法,制造包括该半导体器件的半导体器件的方法以及形成包括能够改善电性能的半导体器件的半导体模块的方法
公开/公告号KR20110083858A
专利类型
公开/公告日2011-07-21
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;
申请/专利号KR20100003813
申请日2010-01-15
分类号H01L27/108;H01L21/8242;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 17:51:23