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METHOD FOR CORRECTING AN IMAGE PLACEMENT ERROR OF A PHOTO MASK INCLUDING A MASK PATTERN

机译:包括掩模图案的照相掩模的图像位置误差的校正方法

摘要

PURPOSE: A method for correcting an image placement error on a photo mask is provided to correct a registration error generated on a photo mask by locally controlling pressure when a light absorption layer is etched and pellicle is attached.;CONSTITUTION: A photo mask(200) including a mask pattern and a light absorption layer are formed. The light absorbing layer is formed on the frame region of the substrate. The photo mask is formed in a field region of the frame region. A first registration error(241) of the photo mask is measured. A second registration error(245) is induced by etching a part of the light absorption layer in the frame region.;COPYRIGHT KIPO 2012
机译:目的:提供一种用于校正光掩模上图像放置误差的方法,以通过在刻蚀光吸收层并附着防护薄膜组件时局部控制压力来校正在光掩模上产生的配准误差。组成:光掩模(200个)形成包括掩模图案和光吸收层的1)。光吸收层形成在基板的框架区域上。在框架区域的场区域中形成光掩模。测量光掩模的第一配准误差(241)。通过刻蚀边框区域中的一部分光吸收层,引起第二套准误差(245)。;COPYRIGHT KIPO 2012

著录项

  • 公开/公告号KR20110114298A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-10-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20100033867

  • 发明设计人 OH SUNG HYUN;

    申请日2010-04-13

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:50:53

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