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Thin Film Si solar cell using ZnO nanowire and Fabrication Method Thereof

机译:使用ZnO纳米线的薄膜硅太阳能电池及其制造方法

摘要

PURPOSE: A thin film Si solar cell using Zno nanowire and a fabrication method thereof are provided to form the effective area per unit area of a cell to be bigger by growing the nanowire vertically. CONSTITUTION: A ZnO seed layer(13) is formed at the upper part of a substrate(11). The zinc oxide seed layer is heat-treated. The heat-treated seed layer is putted into the aqueous solution and a plurality of ZnO nanowires(15) is grown up. The zinc oxide nanowire is included and the thin-film silicon of multilayer are formed on the zinc oxide seed layer.
机译:目的:提供一种使用Zno纳米线的薄膜Si太阳能电池及其制造方法,以通过垂直生长纳米线来形成更大的电池单位面积有效面积。组成:ZnO种子层(13)形成在基板(11)的上部。对氧化锌籽晶层进行热处理。将经过热处理的种子层放入水溶液中,并长出许多ZnO纳米线(15)。包括氧化锌纳米线,并且在氧化锌籽晶层上形成多层的薄膜硅。

著录项

  • 公开/公告号KR101040956B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20090016542

  • 发明设计人 김성현;조진우;이경일;

    申请日2009-02-26

  • 分类号H01L31/042;B82Y40;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:50:11

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