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SHOCKLEY DIODE HAVING A LOW TURN-ON VOLTAGE

机译:肖克利二极管的开启电压低

摘要

A Shockley diode including: a vertical stack of first to fourth layers of alternated conductivity types between first and second electrodes; a recess formed in the fourth layer and extending vertically to penetrate into the second layer; a first region of same conductivity type as the second layer but of greater doping level, extending at the bottom of the recess in the second layer; and a second region of same conductivity type as the third layer but of greater doping level, extending along the lateral walls of the recess and connecting the first region to the fourth layer.
机译:一种肖克利二极管,包括:第一和第二电极之间的交替导电类型的第一到第四层的垂直堆叠;形成在第四层中并垂直延伸以进入第二层的凹槽。与第二层相同的导电类型但掺杂水平更高的第一区域在第二层的凹部的底部延伸。第二区域具有与第三层相同的导电类型,但是具有更高的掺杂水平,第二区域沿着凹部的侧壁延伸并且将第一区域连接到第四层。

著录项

  • 公开/公告号US2012061719A1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMUEL MENARD;YANNICK HAGUE;

    申请/专利号US201113210830

  • 发明设计人 YANNICK HAGUE;SAMUEL MENARD;

    申请日2011-08-16

  • 分类号H01L29/87;H01L21/332;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:33:49

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