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一种外包覆式高效能低漏电流的肖基二极管结构及其制造方法

摘要

一种外包覆式高效能低漏电流的肖基二极管结构及其制造方法,该外包覆式高效能低漏电流的肖基二极管结构包括一下金属层,其作为欧姆接口;一基板位于该下金属层上方;一磊晶层位于该基板的上方,且具有第一导电形态;该磊晶层掺杂形式与该基板相同,且其掺杂浓度较小;一上金属层位于该磊晶层上方,该上金属层作为肖基接口;两个保护区,其位于该磊晶层两侧及该上金属层的下方;各保护区由该磊晶层的上表面掺杂杂质而形成,其中,该保护区的导电形式与该磊晶层的导电形式不相同;其中,该上金属层、该保护区、该磊晶层及该基板的两个侧边分别形成一沟槽;以及两个挡板分别位于该沟槽中且包覆该上金属层、该保护区、该磊晶层及该基板的侧边。

著录项

  • 公开/公告号CN110277437A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 张峻玮;

    申请/专利号CN201810219822.7

  • 发明设计人 张峻玮;

    申请日2018-03-16

  • 分类号H01L29/06(20060101);H01L21/329(20060101);H01L29/872(20060101);

  • 代理机构11301 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑玉洁

  • 地址 中国台湾新竹县芎林乡文山路490巷3弄13号

  • 入库时间 2024-02-19 13:40:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-23

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/06 登记生效日:20200603 变更前: 变更后: 申请日:20180316

    专利申请权、专利权的转移

  • 2019-09-24

    公开

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