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Method for recovering damaged components in lower region of low dielectric insulating film

机译:低介电绝缘膜下部区域中受损成分的回收方法

摘要

There is provided a damage recovery method capable of recovering electrical characteristics of a low dielectric insulating film sufficiently while suppressing oxidation of buried metal and generation of pattern defaults.;A damaged functional group generated in a surface of the low dielectric insulating film by a processing is substituted with a hydrophobic functional group (ST. 2). A damaged component present under a dense layer generated in the surface of the low dielectric insulating film by the substitution process is recovered by using an ultraviolet heating process (ST. 3).
机译:提供一种损伤恢复方法,其能够在抑制埋入金属的氧化和图案缺陷的产生的同时充分地恢复低介电绝缘膜的电特性。通过处理在低介电绝缘膜的表面中产生的受损官能团是被疏水官能团(ST。 2 )取代。通过使用紫外线加热工艺(ST。 3 ),可以恢复通过置换工艺在低介电绝缘膜表面上产生的致密层下存在的受损成分。

著录项

  • 公开/公告号US8288252B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RYUICHI ASAKO;YUSUKE OHSAWA;

    申请/专利号US201113205939

  • 发明设计人 RYUICHI ASAKO;YUSUKE OHSAWA;

    申请日2011-08-09

  • 分类号H01L21/322;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:31:48

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