要解决的问题:提供一种制造含Bi的锡箔和含Bi的锡箔的方法,并提供高度耐热且精确焊接的接合体和功率半导体模块。
解决方案:在含Bi的焊料箔的制造方法中,通过粉末轧制法将含铋(Bi)的焊料材料的粉末制成片状。焊料材料的粉末中的长边和短边之比适当地为1.2和3.0,而粉末的平均粒径适当地为5μm和200μm。希望通过粉末轧制法进行的轧制在-20℃和269℃下进行。另外,在接合体和功率半导体模块中,在焊接区域中使用含Bi的焊料箔。
版权:(C)2010,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP5203906B2
专利类型
公开/公告日2013-06-05
原文格式PDF
申请/专利号JP20080308653
申请日2008-12-03
分类号B23K35/40;H01L25/07;H01L25/18;H01L23/36;H01L23/373;B23K35/26;B23K35/14;B22F1/00;B22F3/18;C22C12/00;C22C9/05;H05K3/34;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 16:54:02