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METHOD FOR FORMING A RESIST PATTERN WITH ENHANCED SENSITIVITY AND RESOLUTION PERFORMANCE AND A CROSSLINKING NEGATIVE RESIST COMPOSITION

机译:具有增强的灵敏度和分辨性能以及交联负电阻组成的电阻图形的形成方法

摘要

PURPOSE: A method for forming a resist pattern, a crosslinking negative resist composition, a nanoimprint mold, and a photomask are provided to ensure high resolution and to improve resolution performance.;CONSTITUTION: A method for forming a resist pattern comprises: a step of forming a film using a negative resist composition; a step of exposing the film to light; and a step of developing the film using an alkaline developing solution. The thickness of the film is 15-40 nm. The alkaline developing solution contains 0.5-1.1 mass% of alkaline.;COPYRIGHT KIPO 2013
机译:目的:提供一种用于形成抗蚀剂图案的方法,一种交联负性抗蚀剂组合物,纳米压印模具和光掩模,以确保高分辨率并提高分辨率性能。使用负性抗蚀剂组合物形成膜;将胶片曝光的步骤;以及使用碱性显影液使膜显影的步骤。膜的厚度为15-40nm。碱性显影液含有0.5-1.1质量%的碱性。; COPYRIGHT KIPO 2013

著录项

  • 公开/公告号KR20130021323A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-03-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJIFILM CORPORATION;

    申请/专利号KR20120083058

  • 发明设计人 TSUCHIHASHI TORU;

    申请日2012-07-30

  • 分类号G03F7/26;G03F7/30;G03F7/039;G03F1/38;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 16:27:37

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