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机译：再生半导体衬底的方法和再生半导体衬底的制造方法
公开/公告号JP2011228651A5
专利类型
公开/公告日2014-03-27
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号JP2011065371
发明设计人
申请日0000-00-00
分类号H01L21/02;H01L27/12;H01L27/08;H01L21/322;H01L21/265;H01L21/20;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 16:19:59
机译： 氮化物半导体基板，半导体叠层基板，基板选择程序，基板数据输出程序，带有基板数据输出程序的氮化物半导体基板，角度偏心的同轴度，与传感器的中等角度坐标图，准矢状图，镍钴合金基板制造方法，半导体叠层制造方法，半导体装置制造方法以及基板数据输出方法
机译： 氮化物半导体基板，半导体层叠体，基板分选程序，基板数据输出程序，具有基板数据输出程序的氮化物半导体基板，偏角坐标图，具有偏角坐标图的氮化物半导体基板，半导体器件分选程序，氮化物，制造半导体叠层的方法，制造半导体器件的方法以及输出衬底数据的方法
机译： 电子设备，再生基质，半导体设备以及用于再生基质的PAD的放置方法
