要解决的问题:提供一种GaN基半导体光学器件,该器件能够防止由于活性层中的铟偏析引起的发光特性的劣化。
解决方案:在GaN基半导体光学器件11a中,模板13的主平面13a从垂直于基准轴Cx的表面倾斜,该基准轴Cx沿着该第一GaN基半导体的c轴在方向上延伸。第一GaN基半导体的m轴的倾斜角在63度至小于80度的范围内。在主平面13a上形成基于GaN的半导体外延区域15。在基于GaN的半导体外延区域15上形成有源层17。有源层17包括至少一个由InGaN构成的半导体外延层19。半导体外延层19的膜厚方向朝向基准轴Cx倾斜。该基准轴Cx指向第一GaN基半导体的轴[0001]的方向。
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