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Magnetoresistance device including layered ferromagnetic structure, and method of manufacturing the same

机译:包括分层铁磁结构的磁阻器件及其制造方法

摘要

A layered ferromagnetic structure is composed of a first ferromagnetic layer positioned over a substrate; a second ferromagnetic layer positioned over the first ferromagnetic layer; and a first non-magnetic layer placed between the first and second ferromagnetic layers. The top surface of the first ferromagnetic layer is in contact with the first non-magnetic layer. The first ferromagnetic layer includes a first orientation control buffer that exhibits an effect of enhancing crystalline orientation of a film formed thereon.
机译:层状铁磁结构由位于基底上方的第一铁磁层组成;位于第一铁磁层上方的第二铁磁层;第一非磁性层设置在第一和第二铁磁层之间。第一铁磁层的顶表面与第一非磁层接触。第一铁磁层包括第一取向控制缓冲剂,该第一取向控制缓冲剂表现出增强在其上形成的膜的结晶取向的效果。

著录项

  • 公开/公告号US8865326B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-10-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 YOSHIYUKI FUKUMOTO;CHUUJI IGARASHI;

    申请/专利号US20100834646

  • 发明设计人 YOSHIYUKI FUKUMOTO;CHUUJI IGARASHI;

    申请日2010-07-12

  • 分类号H01F10/30;G11C11/16;G01R33/09;B82Y25/00;B82Y40/00;H01F41/30;H01L43/08;H01F10/32;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:05:12

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