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UPDATING REFERENCE VOLTAGES TO COMPENSATE FOR CHANGES IN THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTIONS OF NONVOLATILE MEMORY CELLS

机译:更新参考电压以补偿非易失性记忆细胞的阈值电压分布的变化

摘要

A system including a reference voltage module configured to generate one or more reference voltages for determining states of a plurality of memory cells of a nonvolatile memory, where the plurality of memory cells have a threshold voltage distribution. A divider module divides, in response to a change in the threshold voltage distribution, a voltage range into a plurality of regions. An update module updates, to compensate for the change in the threshold voltage distribution, one of the reference voltages to a voltage value associated with one of the plurality of regions.
机译:一种包括参考电压模块的系统,该参考电压模块被配置为生成用于确定非易失性存储器的多个存储单元的状态的一个或多个参考电压,其中多个存储单元具有阈值电压分布。除法器模块响应于阈值电压分布的变化将电压范围划分为多个区域。更新模块将参考电压之一更新为补偿阈值电压分布的变化,以与多个区域之一相关联的电压值。

著录项

  • 公开/公告号US2014126294A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MARVELL WORLD TRADE LTD.;

    申请/专利号US201414154477

  • 发明设计人 XUESHI YANG;

    申请日2014-01-14

  • 分类号G11C16/28;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:04:17

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