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Nanostructured quantum dots or dashes in photovoltaic devices and methods thereof

机译:光伏器件中的纳米结构量子点或虚线及其方法

摘要

A photovoltaic device includes one or more structures, an array of at least one of quantum dots and quantum dashes, at least one groove, and at least one conductor. Each of the structures comprises an intrinsic layer on one of an n type layer and a p type layer and the other one of the n type layer and the p type layer on the intrinsic layer. The array of at least one of quantum dots and quantum dashes is located in the intrinsic layer in at least one of the structures. The groove extends into at least one of the structures and the conductor is located along at least a portion of the groove.
机译:一种光伏器件,包括一个或多个结构,量子点和量子虚线中的至少一个的阵列,至少一个凹槽和至少一个导体。每个结构包括在n型层和p型层之一上的本征层以及在本征层上的n型层和p型层中的另一个。量子点和量子虚线中的至少一个的阵列位于至少一种结构中的本征层中。凹槽延伸到结构中的至少一个中,并且导体沿着凹槽的至少一部分定位。

著录项

  • 公开/公告号US8829336B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RYNE P. RAFFAELLE;DAVID M. WILT;

    申请/专利号US20070744010

  • 发明设计人 RYNE P. RAFFAELLE;DAVID M. WILT;

    申请日2007-05-03

  • 分类号H01L31/05;H01L31/075;B82Y20;H01L27/142;H01L31/0352;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:01:45

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