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Multi-Level Memory Device And Method Of Operating The Same

机译:多级存储设备及其操作方法

摘要

The present invention provides a multi-level memory device and its operation method. The apparatus includes a memory structure having a distribution density of the higher resistance levels in the vicinity of the minimum value than the maximum value.
机译:本发明提供了一种多级存储装置及其操作方法。该设备包括具有在比最大值大的最小值附近的更高电阻水平的分布密度的存储结构。

著录项

  • 公开/公告号KR101390340B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20070092219

  • 发明设计人 고관협;하대원;

    申请日2007-09-11

  • 分类号G11C13/02;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:41:03

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