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Method for manufacturing colloidal quantum dot thin film and quantum dot solar cells

机译:胶体量子点薄膜的制造方法及量子点太阳能电池

摘要

The present invention relates to a method for manufacturing a colloidal quantum dot thin film and a method for manufacturing a quantum dot solar cell. Provided is a method for manufacturing a colloidal quantum dot thin which performs pressurizing surface treatment on a colloidal quantum dot thin by using gas under a high pressure of 2 atm or more to 70 atm or less. According to one embodiment of the present invention, the movement of carriers in the colloidal quantum dot thin film is improved and the efficiency of a solar cell is improved.
机译:胶体量子点薄膜的制造方法及量子点太阳能电池的制造方法技术领域本发明涉及胶体量子点薄膜的制造方法及量子点太阳能电池的制造方法。提供一种制造胶体量子点的方法,该胶体量子点通过在2atm或更高至70atm或更高的高压下使用气体对胶体量子点进行加压表面处理。根据本发明的一个实施方式,改善了胶体量子点薄膜中载流子的移动,并且提高了太阳能电池的效率。

著录项

  • 公开/公告号KR101451931B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20120144631

  • 发明设计人 김현재;허승진;윤석현;오상훈;

    申请日2012-12-12

  • 分类号H01L31/042;H01L31/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:39:55

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