机译:III族氮化物激光装置,III族氮化物激光装置的制造方法,III族氮化物激光装置的光学腔的端面评估方法,以及刻线沟槽的评估方法
公开/公告号US2015270686A1
专利类型
公开/公告日2015-09-24
原文格式PDF
申请/专利号US201314435977
发明设计人 SHIMPEI TAKAGI;
申请日2013-07-24
分类号H01S5/343;H01S5/02;G01N21/958;H01S5;H01S5/32;H01S5/042;H01S5/22;H01S5/028;
国家 US
入库时间 2022-08-21 15:26:08