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Method for Fabricating Crystalline Silicon Solar Cell Having Passivation Layer and Local Rear Contacts

机译:具有钝化层和局部后触点的结晶硅太阳能电池的制造方法

摘要

The present invention is a method for fabricating a crystalline silicon solar cell having a passivation layer and a plurality of local rear contacts, which comprises steps of forming a passivation layer on the rear surface of the silicon substrate; coating distributed metal electrodes on the rear surface and forming a plurality of local rear contacts through firing and forming a metallic reflector at the rear surface so that the metallic reflector electrically contacts with the plurality of local rear contacts.
机译:本发明是一种制造具有钝化层和多个局部后触点的晶体硅太阳能电池的方法,该方法包括在硅衬底的背面上形成钝化层的步骤;在后表面上涂覆分布的金属电极,并通过焙烧形成多个局部后触点,并在后表面上形成金属反射器,以使金属反射器与多个局部后触点电接触。

著录项

  • 公开/公告号US2015207019A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY;

    申请/专利号US201414488473

  • 发明设计人 LI-KARN WANG;CHUNG-KAI LIANG;

    申请日2014-09-17

  • 分类号H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0216;H01L31/056;H01L31/0745;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:24:58

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