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Integrated Circuit with First and Second Switching Devices, Half Bridge Circuit and Method of Manufacturing

机译:具有第一和第二开关装置的集成电路,半桥电路及其制造方法

摘要

An integrated circuit includes a first switching device including a first semiconductor region in a first section of a semiconductor portion and a second switching device including a second semiconductor region in a second section of the semiconductor portion. The first and second sections as well as electrode structures of the first and second switching devices outside the semiconductor portion are arranged along a vertical axis perpendicular to a first surface of the semiconductor portion.
机译:集成电路包括:第一开关器件,其在半导体部分的第一部分中包括第一半导体区域;以及第二开关器件,其在半导体部分的第二部分中包括第二半导体区域。沿半导体部分外部的第一和第二开关器件的第一和第二部分以及电极结构沿垂直于半导体部分的第一表面的垂直轴布置。

著录项

  • 公开/公告号US2015048420A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG;

    申请/专利号US201313968505

  • 发明设计人 SYLVAIN LÉOMANT;MARTIN VIELEMEYER;

    申请日2013-08-16

  • 分类号H01L27/088;H01L21/02;H01L29/778;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:24:14

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