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TRANSISTOR WITH IMPROVED RADIATION HARDNESS

机译:辐射硬度得到改善的晶体管

摘要

An integrated circuit and method with a radiation hard transistor where the gate of the radiation hard transistor does not cross the boundary between active and isolation.
机译:一种具有辐射硬晶体管的集成电路和方法,其中,辐射硬晶体管的栅极不跨越有源和隔离之间的边界。

著录项

  • 公开/公告号US2015187957A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED;

    申请/专利号US201414584369

  • 发明设计人 HAO DING;SEETHARAMAN SRIDHAR;

    申请日2014-12-29

  • 分类号H01L29/786;H01L29/66;H01L27/088;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:23:07

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