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Strain engineering in semiconductor devices by using a piezoelectric material

机译:使用压电材料的半导体器件中的应变工程

摘要

An efficient strain-inducing mechanism may be provided on the basis of a piezoelectric material so that performance of different transistor types may be enhanced by applying a single concept. For example, a piezoelectric material may be provided below the active region of different transistor types and may be appropriately connected to a voltage source so as to obtain a desired type of strain.
机译:可以基于压电材料来提供有效的应变诱导机制,从而可以通过应用单个概念来增强不同晶体管类型的性能。例如,可以在不同晶体管类型的有源区下方提供压电材料,并且可以将压电材料适当地连接至电压源,以获得期望类型的应变。

著录项

  • 公开/公告号US8884379B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STEPHAN KRONHOLZ;MACIEJ WIATR;

    申请/专利号US20100711322

  • 发明设计人 MACIEJ WIATR;STEPHAN KRONHOLZ;

    申请日2010-02-24

  • 分类号H01L27/088;H01L29/78;H01L27/12;H01L27/20;H01L21/8238;H01L21/8234;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:19:54

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