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机译:用替代栅极工艺制造的纳米线FETS中的压缩(PFET)和拉伸(NFET)沟道应变
公开/公告号GB2513761B
专利类型
公开/公告日2015-07-15
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;
申请/专利号GB20140013366
发明设计人 CONAL E MURRAY;GUY COHEN;MICHAEL A GUILLORN;
申请日2012-12-19
分类号H01L29/66;H01L29/775;
国家 GB
入库时间 2022-08-21 14:53:35
机译: 用替代栅极工艺制造的纳米线FETS中的压缩(PFET)和拉伸(NFET)沟道应变
机译: 使用替代栅极工艺制造的纳米线FET中的压缩(PFET)和拉伸(NFET)沟道应变
机译: 备有替换门过程的纳米脚中的压缩(PFET)和拉伸(NFET)通道应变