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NAND memory arrays without cell pitch and bit line pitch matching

机译:没有单元间距和位线间距匹配的NAND存储器阵列

摘要

Embodiments of the present disclosure describe methods, apparatus, and system configurations for NAND memory arrays with mismatched cell and bitline pitch. Other embodiments may be described and claimed.
机译:本公开的实施例描述了具有不匹配的单元和位线间距的NAND存储器阵列的方法,装置和系统配置。可以描述和要求保护其他实施例。

著录项

  • 公开/公告号JP5886434B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 インテル・コーポレーション;

    申请/专利号JP20140531772

  • 发明设计人 リウ、ゼンタオ;

    申请日2011-09-22

  • 分类号H01L21/8247;H01L27/115;G11C16/04;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 14:41:49

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