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Trench gated power device with multiple trench width and its fabrication process

机译:具有多个沟槽宽度的沟槽栅功率器件及其制造工艺

摘要

Power devices, and related process, where both gate and field plate trenches have multiple stepped widths, using self-aligned process steps.
机译:功率器件和相关工艺,其中栅极和场板沟槽都具有多个阶梯式宽度,使用自对准工艺步骤。

著录项

  • 公开/公告号US9224855B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号US201414168286

  • 发明设计人 MOHAMED N. DARWISH;JUN ZENG;

    申请日2014-01-30

  • 分类号H01L29/49;H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/08;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:28:26

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