首页> 外国专利> MEMS sensor structure for sensing pressure waves and a change in ambient pressure

MEMS sensor structure for sensing pressure waves and a change in ambient pressure

机译:用于感测压力波和环境压力变化的MEMS传感器结构

摘要

A sensor structure, including: a first diaphragm structure, an electrode element, and a second diaphragm structure arranged on an opposite side of the electrode element from the first diaphragm structure is disclosed. The sensor structure may also include a chamber formed by the first and second diaphragm structures, where the pressure in the chamber is lower than the pressure outside of the chamber. A method for forming the sensor structure is likewise disclosed.
机译:公开了一种传感器结构,包括:第一隔膜结构,电极元件以及布置在电极元件的与第一隔膜结构相反的一侧上的第二隔膜结构。传感器结构还可包括由第一膜片结构和第二膜片结构形成的腔室,其中腔室中的压力低于腔室外部的压力。同样公开了一种用于形成传感器结构的方法。

著录项

  • 公开/公告号US9438979B2

    专利类型

  • 公开/公告日2016-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号US201414198634

  • 发明设计人 ALFONS DEHE;

    申请日2014-03-06

  • 分类号H04R25;H04R1/08;H04R17/02;H04R19;H04R19/04;H04R31;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 14:28:22

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号