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CMOS High-precision CMOS bandgap reference circuit for providing low-supply-voltage

机译:CMOS用于提供低电源电压的高精度CMOS带隙基准电路

摘要

The present invention relates to a bandgap reference circuit comprising: a first bandgap reference circuit portion coupled to an NMOS transistor and a current mirror circuit; a second bandgap reference circuit portion coupled to the PMOS transistor; and a second bandgap reference circuit portion And a summing circuit unit for summing a first current induced and a second current derived from the second bandgap reference circuit unit to generate a reference voltage, wherein a voltage generated by the first bandgap reference circuit unit is a sum of the second bandgap The direction of the curvature is the same as the voltage generated by the reference circuit section and the first current is opposite in direction of the curvature to the second current so as to provide a temperature- can do.
机译:带隙基准电路技术领域本发明涉及一种带隙基准电路,其包括:第一带隙基准电路部分,其耦合到NMOS晶体管和电流镜电路;以及第二带隙参考电路部分耦合到PMOS晶体管;第二带隙参考电路部分和求和电路单元,用于将感应的第一电流和从第二带隙参考电路单元得到的第二电流相加以产生参考电压,其中,第一带隙参考电路单元所产生的电压为和第二带隙的曲率方向与参考电路部分产生的电压相同,并且第一电流在曲率方向上与第二电流相反,以提供温度范围。

著录项

  • 公开/公告号KR101567843B1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-11-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한양대학교 에리카산학협력단;

    申请/专利号KR20140035028

  • 发明设计人 노정진;뚜안취엔쩐;

    申请日2014-03-26

  • 分类号G05F3/24;G05F3/26;G05F3/30;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 14:15:37

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