首页> 外国专利> Method of manufacturing susceptor for wafer placement and susceptor for wafer placement

Method of manufacturing susceptor for wafer placement and susceptor for wafer placement

机译:制造用于晶片放置的基座的方法和用于晶片放置的基座

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a method for manufacturing a susceptor for holding a wafer, which is capable of keeping silicon carbide crystal exposed from a surface even under a use environment such that the silicon carbide is gradually etched, and capable of maintaining a slip-suppressing function for a long term; and such a susceptor for holding a wafer.SOLUTION: In a method for manufacturing a susceptor for holding a wafer, which is composed of a silicon carbide sintered compact produced by sintering a compact of silicon carbide powder, mixed silicon carbide powder 16 includes: silicon carbide fine powder 12 having an average particle diameter of 0.05-5 μm; and silicon carbide coarse powder 14 having an average particle diameter of 10-50 μm.
机译:解决的问题:提供一种用于制造保持晶片的基座的方法,该方法即使在逐渐腐蚀碳化硅的使用环境下也能够保持从表面暴露出碳化硅晶体,并且能够保持长期具有防滑功能;解决方案:在一种用于支撑晶片的基座的制造方法中,混合碳化硅粉末16包括:硅,该基座由通过烧结碳化硅粉末的成形体而产生的碳化硅烧结成形体组成。平均粒径为0.05〜5μm的碳化物微粉12。碳化硅粗粉14的平均粒径为10〜50μm。

著录项

  • 公开/公告号JP6143019B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-06-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 信越半導体株式会社;

    申请/专利号JP20150036166

  • 发明设计人 小林 武史;

    申请日2015-02-26

  • 分类号H01L21/683;H01L21/205;C23C16/458;C04B35/565;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:54:05

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号