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High energy ion implanter, beam current adjuster, and beam current adjustment method

机译:高能离子注入机,束流调节器和束流调节方法

摘要

A beam current adjuster for an ion implanter includes a variable aperture device which is disposed at an ion beam focus point or a vicinity thereof. The variable aperture device is configured to adjust an ion beam width in a direction perpendicular to an ion beam focusing direction at the focus point in order to control an implanting beam current. The variable aperture device may be disposed immediately downstream of a mass analysis slit. The beam current adjuster may be provided with a high energy ion implanter including a high energy multistage linear acceleration unit.
机译:用于离子注入机的束流调节器包括设置在离子束焦点或其附近的可变孔径装置。可变孔径装置被配置为在与聚焦点处的离子束聚焦方向垂直的方向上调节离子束宽度,以便控制注入束电流。可变孔径装置可以被布置在质量分析缝隙的紧下游。束电流调节器可以设置有包括高能多级线性加速单元的高能离子注入机。

著录项

  • 公开/公告号US9576771B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利号US201614996032

  • 发明设计人 KOUJI KATO;KOUJI INADA;

    申请日2016-01-14

  • 分类号H01J37/09;H01J37/08;H01J37/304;H01J37/317;H01J37/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:43:33

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