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Etching solution for copper or a compound comprised mainly of copper

机译：铜或以铜为主要成分的蚀刻液

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摘要

The present invention relates to an etching solution for copper or a compound comprised mainly of copper, wherein the etching solution contains (A) a maleic acid ion source and (B) a copper ion source, and an etching method using the etching solution.

机译：本发明涉及一种用于铜或主要包含铜的化合物的蚀刻溶液，其中该蚀刻溶液包含（A）马来酸离子源和（B）铜离子源，以及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法。

著录项

公开/公告号US9644274B2

专利类型
公开/公告日2017-05-09

原文格式PDF
申请/专利权人 SATOSHI TAMAI;KUNIO YUBE;SATOSHI OKABE;
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申请/专利号US201214130779
发明设计人 SATOSHI TAMAI;KUNIO YUBE;SATOSHI OKABE;
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申请日2012-06-28
分类号C03C15/00;C23F1/18;C23F1/26;H01L21/3213;C23F1/44;C09K13/04;H05K3/06;C23F1/16;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:42:06

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