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TECHNOLOGIES FOR INVERTING LITHOGRAPHIC PATTERNS AND SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING HIGH ASPECT RATIO STRUCTURES

机译:用于转换光刻图形和半导体器件(包括高纵横比结构)的技术

摘要

Technologies for inverting lithographic patterns are described. In some embodiments the technologies include a method for inverting a lithographic pattern of hole precursors, so as to form one or more high aspect ratio structures on or in a surface of a substrate.
机译:描述了用于反转光刻图案的技术。在一些实施例中,该技术包括一种用于反转空穴前体的光刻图案的方法,以便在衬底的表面上或之中形成一个或多个高纵横比的结构。

著录项

  • 公开/公告号WO2017052614A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-03-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号WO2015US52321

  • 发明设计人 ST. AMOUR ANTHONY A.;AUTH CHRISTOPHER P.;

    申请日2015-09-25

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 13:31:37

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