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INTEGRATED CIRCUIT LEAKAGE POWER REDUCTION USING ENHANCED GATED-Q SCAN TECHNIQUES

机译:利用增强的门控Q扫描技术降低电路泄漏功率

摘要

Specific logic gates for q-gating are selected by determining the minimum leakage state for a circuit design and then selecting logic gates that hold the circuit design in its lowest leakage state. Depending on the input desired to implement the minimum leakage state, the gate may be selected as a NOR or OR gate. Q-gating that is implemented with gates chosen to implement the minimum leakage state may be enabled during selected operating modes. The minimum leakage state of a circuit can be determined with an automatic test pattern generation (ATPG) tool.
机译:通过确定电路设计的最小泄漏状态,然后选择将电路设计保持在最低泄漏状态的逻辑门,来选择用于q门的特定逻辑门。根据实现最小泄漏状态所需的输入,可以将门选为NOR或OR门。在选择的操作模式期间,可以启用通过选择以实现最小泄漏状态的栅极实现的Q门控。可以使用自动测试图生成(ATPG)工具确定电路的最小泄漏状态。

著录项

  • 公开/公告号EP2616828B1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QUALCOMM INCORPORATED;

    申请/专利号EP20110763821

  • 发明设计人 SETHURAM RAJAMANI;ARABI KARIM;

    申请日2011-09-15

  • 分类号G06F17/50;H03K19;H03K19/173;G01R31/3183;G01R31/3185;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 13:19:36

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