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A HYBRID SYNTHETIC ANTIFERROMAGNETIC LAYER FOR A PERPENDICULAR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION (MTJ)

机译:垂直磁隧道结(MTJ)的混合合成抗铁磁层

摘要

A magnetic tunnel junction (MTJ) device includes a free layer. The MTJ also includes a barrier layer coupled to the free layer. The MTJ also has a fixed layer, coupled to the barrier layer. The fixed layer includes a first synthetic antiferromagnetic (SAF) multilayer having a first perpendicular magnetic anisotropy (PMA) and a first damping constant. The fixed layer also includes a second SAF multilayer having a second perpendicular magnetic anisotropy (PMA) and a second damping constant lower than the first damping constant. The first SAF multilayer is closer to the barrier layer than the second SAF multilayer. The fixed layer also includes a SAF coupling layer between the first and the second SAF multilayers.
机译:磁性隧道结(MTJ)器件包括自由层。 MTJ还包括耦合到自由层的阻挡层。 MTJ还具有固定层,该固定层耦合到阻挡层。固定层包括具有第一垂直磁各向异性(PMA)和第一阻尼常数的第一合成反铁磁(SAF)多层。固定层还包括第二SAF多层,其具有第二垂直磁各向异性(PMA)和低于第一阻尼常数的第二阻尼常数。第一SAF多层比第二SAF多层更靠近阻挡层。固定层还包括在第一和第二SAF多层之间的SAF耦合层。

著录项

  • 公开/公告号EP3084764B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-12-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QUALCOMM INC;

    申请/专利号EP20140808790

  • 发明设计人 PARK CHANDO;LEE KANGHO;KANG SEUNG HYUK;

    申请日2014-11-19

  • 分类号G11B5/66;H01L43/08;H01L43/12;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 13:18:18

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